APT11GF120BRDQ1G
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT 1200V 25A 156W TO247
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參數詳情:
制造商產品型號:APT11GF120BRDQ1G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):25A電流-集電極脈沖(Icm):24A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,8A功率-最大值:156W開關能量:300μJ(開),285μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:65nC25°C時Td(開/關)值:7ns/100ns測試條件:800V,8A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3APT11GF120BRDQ1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。