APT17F120J
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，ISOTOP
技術參數：MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
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參數詳情：
制造商產品型號：APT17F120J制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227系列：POWER MOS 8?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：580 毫歐 @ 14A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：300nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9670pF @ 25V功率 - 最大值：545W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：ISOTOPAPT17F120J的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
