APT45GP120B2DQ2G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
技術參數：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
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參數詳情：
制造商產品型號：APT45GP120B2DQ2G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX系列：POWER MOS 7IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：113ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：170A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A功率 - 最大值：625WSwitching Energy：900μJ （開）， 905μJ （關）輸入類型：標準Gate Charge：185nC25°C 時 Td（開/關）值：18ns/100nsTest Condition：600V, 45A, 5 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr)：-封裝/外殼：TO-247-3 變式安裝類型：通孔供應商器件封裝：*APT45GP120B2DQ2G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
