APTM10DAM02G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP6
技術參數：MOSFET N-CH 100V 495A SP6
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM10DAM02G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET N-CH 100V 495A SP6系列：-FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：495A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 200A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1360nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：40000pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP6供應商器件封裝：SP6APTM10DAM02G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
