APTM10DSKM19T3G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP3
技術參數：MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM10DSKM19T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3系列：-FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：70A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 35A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：200nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5100pF @ 25V功率 - 最大值：208W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP3供應商器件封裝：SP3APTM10DSKM19T3G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
