APTM120H140FT1G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP1
技術參數：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM120H140FT1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1系列：-FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.68 歐姆 @ 7A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：145nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3812pF @ 25V功率 - 最大值：208W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP1供應商器件封裝：SP1APTM120H140FT1G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
